BC847BPDW1T3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC847BPDW1T3G概述

ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

双 NPN/PNP ，On Semiconductor

每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC847BPDW1T3G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

在线购买BC847BPDW1T3G

型号： BC847BPDW1T3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

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替代型号BC847BPDW1T3G

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