双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 SOT-23-3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 150 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCR116E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BCR116E6327HTSA1 英飞凌 | 完全替代 | BCR116E6433HTMA1和BCR116E6327HTSA1的区别 |