单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
小信号 NPN ,
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
欧时:
Infineon BC850CE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
频率 250 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.33 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC850CE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BC 847C B5003 英飞凌 | 完全替代 | BC850CE6327HTSA1和BC 847C B5003的区别 |
BC847CE6327HTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BC850CE6327HTSA1和BC847CE6327HTSA1的区别 |
BC847CE6433HTMA1 英飞凌 | 类似代替 | BC850CE6327HTSA1和BC847CE6433HTMA1的区别 |