350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 16.8V \---|--- 平均Typ.| 18V 最大max.| 19.1V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 45Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.05uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用| •总功耗：最大。 250毫瓦 •电压稳压 •非重复性峰值反向功耗：最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
额定电压DC 18.0 V
电容 100 pF
容差 ±6 %
额定功率 350 mW
击穿电压 18.0 V
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 350 mW
测试电流 5 mA
稳压值 18 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BZX84C18 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BZX84C18_D87Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | BZX84C18和BZX84C18_D87Z的区别 |
BZX84C18LT1G 安森美 | 功能相似 | BZX84C18和BZX84C18LT1G的区别 |
BZX84C18LT3G 安森美 | 功能相似 | BZX84C18和BZX84C18LT3G的区别 |