单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
低泄漏，
Infineon 的低泄漏二极管，提供单和双配置。 这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流
得捷:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
欧时:
Infineon 二极管 BAV170E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 80.0 V
额定电流 200 mA
电容 2.00 µF
正向电压 1.25V @150mA
耗散功率 250 mW
反向恢复时间 1500 ns
最大正向浪涌电流（Ifsm） 4.5 A
正向电压Max 1.25 V
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BAV170E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BAV170E6327HTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BAV170E6433HTMA1和BAV170E6327HTSA1的区别 |