NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 65 V 100 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
频率 300 MHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC846AMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BC846BLT1G 安森美 | 功能相似 | BC846AMTF和BC846BLT1G的区别 |
BC846ALT1G 安森美 | 功能相似 | BC846AMTF和BC846ALT1G的区别 |
BC846B-7-F 美台 | 功能相似 | BC846AMTF和BC846B-7-F的区别 |