BC859BW,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC859BW,115概述

SC-70 PNP 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

得捷:
NEXPERIA BC859 - PNP GENERAL PUR

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R

BC859BW,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC859BW,115

型号： BC859BW,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SC-70 PNP 30V 0.1A

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替代型号BC859BW,115

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