BCW68GLT3G

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BCW68GLT3G概述

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3


立创商城:
BCW68GLT3G


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT GENRL TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BCW68GLT3G PNP Bipolar Transistor, 0.8 A, 45 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


BCW68GLT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 120 @10mA, 1V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCW68GLT3G
型号: BCW68GLT3G
描述:NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号BCW68GLT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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