FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC856CMTF 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 420 hFE
The is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits, switching and amplifier applications.
得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SOT-23 PNP GP AMP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
BC856 Series 65 V 100 mA 310 mW PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 310mW; SOT23
Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC856CMTF Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -65 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 420 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT-23
Win Source:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
频率 150 MHz
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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