BC856CMTF

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BC856CMTF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC856CMTF  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 420 hFE

The is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits, switching and amplifier applications.

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Complement to BC846

得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SOT-23 PNP GP AMP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
BC856 Series 65 V 100 mA 310 mW PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 310mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC856CMTF  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -65 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 420 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT-23


Win Source:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23


BC856CMTF中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 310 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC856CMTF
型号: BC856CMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC856CMTF  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 420 hFE
替代型号BC856CMTF
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BC856CMTF

Fairchild 飞兆/仙童

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