BSS138LT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSS138LT3G概述

ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷

N 通道功率 MOSFET，50V，

### MOSFET ，ON Semiconductor

得捷:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

立创商城:
BSS138LT3G

欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138LT3G, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装

贸泽:
MOSFET 50V 200mA N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Allied Electronics:
BSS138LT3G N-channel MOSFET Transistor; 0.2 A; 50 V; 3-Pin SOT-23

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

力源芯城:
小信号N沟道SOT-23-3封装场效应管

BSS138LT3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 200 mA

无卤素状态 Halogen Free

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

阈值电压 500 mV

输入电容 50.0 pF

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 ??????, Power Management, Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, ?????????, ????, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSS138LT3G

型号： BSS138LT3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷

立即咨询

替代型号BSS138LT3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSS138LT3G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BSS138LT1G 安森美	类似代替	BSS138LT3G和BSS138LT1G的区别
BSS138 安森美	类似代替	BSS138LT3G和BSS138的区别
BSS138K 安森美	类似代替	BSS138LT3G和BSS138K的区别