FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC857BMTF 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 200 hFE
The is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits, switching and amplifier applications.
得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
BC857 系列 45 V CE 击穿 0.1 A PNP 外延硅 晶体管 - SOT-23
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 310mW; SOT23
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC857BMTF Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 200 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
频率 150 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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