BC847BTT1G

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BC847BTT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor BC847BTT1G , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-416 SC-75封装


得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416


立创商城:
NPN 双极晶体管


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN


e络盟:
双极性晶体管, NPN, 45V, SC-75


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BC847BTT1G NPN Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SC-75


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-416 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN LP 100MA 45V SC75-3


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.1A SC75-3


BC847BTT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 450

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-75-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC847BTT1G引脚图与封装图
BC847BTT1G引脚图
BC847BTT1G封装焊盘图
在线购买BC847BTT1G
型号: BC847BTT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE
替代型号BC847BTT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

当前型号

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