BCW61AE6327HTSA1

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BCW61AE6327HTSA1概述

Infineon BCW61AE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装

小信号 PNP ,


得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23


欧时:
Infineon BCW61AE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23


BCW61AE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 220

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For AF input stages and driver applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW61AE6327HTSA1
型号: BCW61AE6327HTSA1
描述:Infineon BCW61AE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
替代型号BCW61AE6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCW61AE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

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BCW61AMTF

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