FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX19.. 晶体管, NPN
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 620mV/0.62V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN Medium Power Transistor • This device is designed for general purpose amplifiers. • Sourced from process 38 描述与应用| NPN中等功率 这个装置是专为通用放大器。 •来源于过程38
额定电压DC 45.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCX19 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BCX19_D87Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | BCX19和BCX19_D87Z的区别 |
BC817-16LT1G 安森美 | 功能相似 | BCX19和BC817-16LT1G的区别 |
BCX19LT1G 安森美 | 功能相似 | BCX19和BCX19LT1G的区别 |