FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 12V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. 描述与应用| NPN开关 该设备是专为高速饱和开关 集电极电流10 mA至100 mA的。
频率 400 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 200 mA
额定功率 225 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSV52 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 功能相似 | BSV52和MMBT6429LT1G的区别 |
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