Infineon BCW61BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
小信号 PNP ，
得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
欧时:
Infineon BCW61BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:20, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
频率 250 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.33 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free