BC847BDW1T3G

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BC847BDW1T3G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar BJT Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


立创商城:
BC847BDW1T3G


得捷:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BC847BDW1T3G Dual NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 6-Pin SOT-363


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 290 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363


Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363


BC847BDW1T3G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.95 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC847BDW1T3G引脚图与封装图
BC847BDW1T3G引脚图
BC847BDW1T3G封装焊盘图
在线购买BC847BDW1T3G
型号: BC847BDW1T3G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar BJT Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新
替代型号BC847BDW1T3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC847BDW1T3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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BC847BDW1T1

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完全替代

BC847BDW1T3G和BC847BDW1T1的区别

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类似代替

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BC847BDW1T3

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