ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新
小信号 NPN ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
立创商城:
BC847BDW1T3G
得捷:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Allied Electronics:
ON Semi BC847BDW1T3G Dual NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 6-Pin SOT-363
安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 290 hFE
DeviceMart:
TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.95 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC847BDW1T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847BDW1T1 安森美 | 完全替代 | BC847BDW1T3G和BC847BDW1T1的区别 |
BC847BDW1T1G 安森美 | 类似代替 | BC847BDW1T3G和BC847BDW1T1G的区别 |
BC847BDW1T3 安森美 | 类似代替 | BC847BDW1T3G和BC847BDW1T3的区别 |