BC556BTF

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BC556BTF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC556BTF  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE

The is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.

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High voltage VCEO
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Complement to BC546

艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC556BTF  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -65 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200


BC556BTF中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC556BTF
型号: BC556BTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC556BTF  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE
替代型号BC556BTF
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