BC80740MTF

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BC80740MTF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC80740MTF.  晶体管, PNP, -45V, SOT-23

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor suitable for AF-driver stages, low-power output stages, switching and amplifier applications.

.
Complement to BC817

得捷:
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SOT-23 PNP GP AMP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
BC807 系列 45 V CE 击穿 0.8 A PNP 外延硅 晶体管 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC80740MTF  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -800 mA, 170 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 45V 0.8A SOT23


Win Source:
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23


BC80740MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 310 mW

直流电流增益hFE 170

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.97 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC80740MTF
型号: BC80740MTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC80740MTF.  晶体管, PNP, -45V, SOT-23
替代型号BC80740MTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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