FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR56 晶体管, JFET, JFET, 40 V, 50 mA, 10 V, SOT-23, JFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 50ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| 4~10v 耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-Channel Low-Frequency Low-Noise Amplifier • This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 51 描述与应用| N沟道低频率的低噪声 扩音器 •本设备是专为低功耗斩波器或切换应用程序 来源于过程51
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR56 JFET Transistor, 40 V, 50 mA, 10 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 40V 250MW SOT23
额定电压DC 40.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 mA
击穿电压 40 V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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