BC857CDW1T1G

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BC857CDW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363


立创商城:
BC857CDW1T1G


欧时:
ON Semiconductor BC857CDW1T1G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:270, 100 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP


e络盟:
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BC857CDW1T1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 6-Pin SOT-363


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R


DeviceMart:
TRANS PNP DUAL 45V 100MA SOT-363


Win Source:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363


BC857CDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 380 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 270

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC857CDW1T1G引脚图与封装图
BC857CDW1T1G引脚图
BC857CDW1T1G封装焊盘图
在线购买BC857CDW1T1G
型号: BC857CDW1T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE
替代型号BC857CDW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC857CDW1T1G

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

BC857CDW1T1

安森美

完全替代

BC857CDW1T1G和BC857CDW1T1的区别

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