BSR58LT1G概述
JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion
JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
JFET N-CH 40V SOT23-3
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
BSR58LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 50.0 mA
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
击穿电压 40 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSR58LT1G
型号： BSR58LT1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion
替代型号BSR58LT1G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSR58LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSR58LT1 安森美 | 完全替代 | BSR58LT1G和BSR58LT1的区别 |