JFET放大器（ N沟道） JFET AmplifiersN-Channel
JFET N 通道 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
得捷:
JFET N-CH SOT23-3
艾睿:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 25.0 V
额定电流 1.00 mA
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
输入电容 5.00 pF
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
输入电容Ciss 5pF @10VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BFR30LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BFR30LT1 安森美 | 完全替代 | BFR30LT1G和BFR30LT1的区别 |
BFR30 恩智浦 | 功能相似 | BFR30LT1G和BFR30的区别 |
FR302 恩智浦 | 功能相似 | BFR30LT1G和FR302的区别 |