BC33716BU

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BC33716BU概述

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for AF-driver stages, low-power output stages, switching and amplifier applications.

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Complement to BC327

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
BC337 系列 45 V CE 击穿 0.8 A NPN 外延硅 晶体管 TO-92


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC33716BU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 60 hFE


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92


BC33716BU中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC33716BU
型号: BC33716BU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BC33716BU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC33716BU

Fairchild 飞兆/仙童

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BC33716TA

飞兆/仙童

完全替代

BC33716BU和BC33716TA的区别

BC337BU

飞兆/仙童

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BC337-16-AP

美微科

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