BC848CDW1T1G

NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 NPN ，最大 1A，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

得捷:
TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6

立创商城:
BC848CDW1T1G

欧时:
### 通用 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

e络盟:
双极晶体管阵列, 双NPN, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

艾睿:
This NPN BC848CDW1T1G general purpose bipolar junction transistor from ON Semiconductor is perfect for a circuit requiring high-current density and can operate in a high voltage range. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 380 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

Allied Electronics:
ON Semi BC848CDW1T1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 30 V, 6-Pin SOT-363

安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC848CDW1T1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 520 hFE

DeviceMart:
TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363

Win Source:
TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363