ON SEMICONDUCTOR BC847BM3T5G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 260 mW, 100 mA, 200 hFE 新
通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT723
立创商城:
BC847BM3T5G
欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
e络盟:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 260 mW, 100 mA, 200 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Allied Electronics:
ON Semi BC847BM3T5G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SOT-723
安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-723 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BC847BM3T5G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 260 mW, 100 mA, 290 hFE
DeviceMart:
TRANS GP NPN 45V 260MW SOT-723
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 260 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 260 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
长度 1.25 mm
宽度 0.85 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-723
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC847BM3T5G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC 847BF E6327 英飞凌 | 功能相似 | BC847BM3T5G和BC 847BF E6327的区别 |