BCW67CE6327HTSA1概述
Infineon BCW67CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:80, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
通用 PNP ，
得捷:
TRANS PNP 32V 0.8A SOT23
欧时:
Infineon BCW67CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
BCW67CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For general AF applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BCW67CE6327HTSA1
型号： BCW67CE6327HTSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon BCW67CE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:80, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装