BCW32LT1G

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BCW32LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BCW32LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BCW32LT1G引脚图与封装图
BCW32LT1G引脚图
BCW32LT1G封装焊盘图
在线购买BCW32LT1G
型号: BCW32LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
替代型号BCW32LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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当前型号

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