BZT55C4V7 L1

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BZT55C4V7 L1概述

500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF JEDEC DO-213 ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

齐纳 500mW,BZT55C 系列,

小信号 500mW 密封玻璃

电压容差为 5%

表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF JEDEC DO-213


欧时:
### 齐纳二极管 500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF JEDEC DO-213 ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor


贸泽:
稳压二极管 4.7 Volt 500mW 5%


e络盟:
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80 迷你MELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C


艾睿:
Diode Zener Single 4.7V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R


Allied Electronics:
DIODE, ZENER, 500MW 4V7, SOD80C


BZT55C4V7 L1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 4.7 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.8 mm

封装 SOD-80

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BZT55C4V7 L1
型号: BZT55C4V7 L1
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor 小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF JEDEC DO-213 ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
替代型号BZT55C4V7 L1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZT55C4V7 L1

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

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BZT55C4V7

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