NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 70~310 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 350mV/0.35V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General Purpose Transistors 描述与应用| NPN外延硅 通用晶体管
频率 125 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 200 mA
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCX70H Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BCX70H_D87Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | BCX70H和BCX70H_D87Z的区别 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 功能相似 | BCX70H和MMBT6429LT1G的区别 |
BCX70H,215 安世 | 功能相似 | BCX70H和BCX70H,215的区别 |