BC546BTAR

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BC546BTAR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC546BTAR
型号: BC546BTAR
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
替代型号BC546BTAR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC546BTAR

Fairchild 飞兆/仙童

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