BC849BMTF

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BC849BMTF中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 310 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC849BMTF
型号: BC849BMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号BC849BMTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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