PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 PNP ，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 100 MHz
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 475
额定功率Max 380 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.08 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.95 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC856BDW1T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856BDW1T1G 安森美 | 完全替代 | BC856BDW1T3G和BC856BDW1T1G的区别 |
SBC856BDW1T1G 安森美 | 完全替代 | BC856BDW1T3G和SBC856BDW1T1G的区别 |
BC856BDW1T3 安森美 | 完全替代 | BC856BDW1T3G和BC856BDW1T3的区别 |