BAP55L,315

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BAP55L,315概述

Diode PIN Attenuator/Switch 50V 2Pin DFN T/R

RF Diode PIN - Single 50V 100mA 500mW DFN1006-2


得捷:
RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2


贸泽:
PIN Diodes BAP55L/SOD882/REELP2//


艾睿:
Diode PIN Attenuator/Switch 50V 2-Pin DFN T/R


Chip1Stop:
Diode PIN Attenuator/Switch 50V 2-Pin SOD-882 T/R


BAP55L,315中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1 V

耗散功率 500 mW

正向电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-882

外形尺寸

长度 1.02 mm

宽度 0.62 mm

高度 0.5 mm

封装 SOD-882

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BAP55L,315
型号: BAP55L,315
制造商: NXP 恩智浦
描述:Diode PIN Attenuator/Switch 50V 2Pin DFN T/R
替代型号BAP55L,315
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