BZX85C9V1 R0

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BZX85C9V1 R0中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1300 mW

测试电流 25 mA

稳压值 9.1 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买BZX85C9V1 R0
型号: BZX85C9V1 R0
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:Diode Zener Single 9.1V 5% 1.3W 2Pin DO-41 T/R

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