BC856BT,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC856BT,115概述

SC-75 PNP 65V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75

得捷:
NEXPERIA BC856 - PNP GENERAL PU

艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SC-75 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SC-75 T/R

BC856BT,115中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 SC-75

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC856BT,115

型号： BC856BT,115

描述：SC-75 PNP 65V 0.1A

替代型号BC856BT,115