BZX55C4V3-TAP参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZX55C4V3-TAP概述

Diode Zener Single 4.3V 7% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo

Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 4.3V 7% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo

安富利:
Diode Zener Single 4.3V 7% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo

Chip1Stop:
Diode Zener Single 4.3V 7% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo

TME:
Diode: Zener; 0.5W; 4.3V; Package: Ammo Pack; DO35

BZX55C4V3-TAP中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

额定功率 0.5 W

正向电压 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 4.3 V

正向电压Max 1.5V @200mA

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AH

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买BZX55C4V3-TAP

型号： BZX55C4V3-TAP

描述：Diode Zener Single 4.3V 7% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo

替代型号BZX55C4V3-TAP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZX55C4V3-TAP Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BZX55C4V3RL 安森美	功能相似	BZX55C4V3-TAP和BZX55C4V3RL的区别
933247070133 恩智浦	功能相似	BZX55C4V3-TAP和933247070133的区别
BZX55-C4V3 Galaxy Semi-Conductor	功能相似	BZX55C4V3-TAP和BZX55-C4V3的区别