BZT55C51-GS08参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZT55C51-GS08概述

500mW，BZT55 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管超剧烈反向特性低反向电流电平非常高的稳定性低噪声符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor

Zener Diode 51V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF

欧时:
### 齐纳二极管 500mW，BZT55 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管超剧烈反向特性低反向电流电平非常高的稳定性低噪声符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor

得捷:
DIODE ZENER 51V 500MW SOD80

艾睿:
Diode Zener Single 51V 6% 500mW Automotive 2-Pin Quadro MELF SOD-80 T/R

BZT55C51-GS08中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.5V @200mA

测试电流 2.5 mA

稳压值 51 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOD-80

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BZT55C51-GS08

描述：500mW，BZT55 系列，Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管超剧烈反向特性低反向电流电平非常高的稳定性低噪声符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor