BC850CMTF参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC850CMTF中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 310 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC850CMTF

型号： BC850CMTF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

替代型号BC850CMTF