容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 8.2 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
封装 Mini-MELF
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 4.6 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
BZV55-B8V2,135
NXP 恩智浦
当前型号
BZV55-C8V2
安世
类似代替
ZMM8.2
Diotec Semiconductor
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