BCW61B,215

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BCW61B,215概述

TO-236AB PNP 32V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
NEXPERIA BCW61B - SMALL SIGNAL B


艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23


BCW61B,215中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW61B,215
型号: BCW61B,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB PNP 32V 0.1A
替代型号BCW61B,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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