BC33725TFR

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BC33725TFR概述

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Switching and Amplifier Applications

• Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

• Complement to BC327/BC328


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
The BC337 is a NPN Epitaxial Silicon TransistorThis device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 12


富昌:
NPN 45 V 800 mA 625 mW Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92


BC33725TFR中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC33725TFR
型号: BC33725TFR
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BC33725TFR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC33725TFR

Fairchild 飞兆/仙童

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