Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
SIPMOS® N 通道 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6433XTMA1, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
立创商城:
N沟道 60V 230A
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this BSS138NH6433XTMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 360 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with sipmos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.2 Ω
极性 N-CH
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.23A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 32pF @25VVds
下降时间 8.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSS138NH6433XTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS138NH6327XTSA2 英飞凌 | 类似代替 | BSS138NH6433XTMA1和BSS138NH6327XTSA2的区别 |