BC856BDW1T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC856BDW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363

小信号 PNP ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC856BDW1T1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC856BDW1T1G引脚图与封装图

在线购买BC856BDW1T1G

型号： BC856BDW1T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363

立即咨询

替代型号BC856BDW1T1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC856BDW1T1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC856BDW1T3G 安森美	完全替代	BC856BDW1T1G和BC856BDW1T3G的区别
BC856BDW1T1 安森美	完全替代	BC856BDW1T1G和BC856BDW1T1的区别
BC856S@115 恩智浦	类似代替	BC856BDW1T1G和BC856S@115的区别