BFU550WX

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BFU550WX概述

11 GHz 12 Vce NPN 18 db 450 mW 宽带 硅 RF 晶体管 - SC-70

Semiconductors has the solution to your circuit"s high radio frequency requirements with their RF bi-polar junction transistor. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


得捷:
BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R


立创商城:
NPN 12V 15mA


艾睿:
NXP Semiconductors has the solution to your circuit&s;s high radio frequency requirements with their BFU550WX RF bi-polar junction transistor. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


BFU550WX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 450 mW

输入电容 1 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 18 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @15mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFU550WX
型号: BFU550WX
制造商: NXP 恩智浦
描述:11 GHz 12 Vce NPN 18 db 450 mW 宽带 硅 RF 晶体管 - SC-70

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