BFY90

BFY90图片1
BFY90中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 23 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @25mA, 1V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFY90
型号: BFY90
制造商: Central Semiconductor
描述:RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A IC, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, TO-72, 4Pin
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