Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 4Pin 3+Tab SOT-143 T/R
RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT143-4
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTORS
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 4-Pin 3+Tab SOT-143 T/R
额定电压DC 12.0 V
额定电流 35.0 mA
耗散功率 250 mW
增益频宽积 8000 MHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 22 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V
最大电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-253-4
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 TO-253-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free