晶体管 双极-射频, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, 90 hFE
BFU660F NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. 得捷:
RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
贸泽:
射频RF双极晶体管 Single NPN 21GHz
艾睿:
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 5.5V 0.06A 4-Pin3+Tab DFP T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
RfMW:
Transistor
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
频率 21000 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 225 mW
输入电容 0.664 pF
击穿电压集电极-发射极 5.5 V
增益 12dB ~ 21dB
最小电流放大倍数hFE 90 @10mA, 2V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 90
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
封装 SOT-343
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFU660F,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFU668F,115 恩智浦 | 类似代替 | BFU660F,115和BFU668F,115的区别 |