BFU580GX

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BFU580GX概述

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE

RF NPN 12V 60mA 11GHz 1W 表面贴装型 SOT-223


立创商城:
NPN Wideband Silicon RF Transistor


得捷:
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223


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射频RF双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor


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晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE


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Are you looking for a component that can handle high power radio frequencies? NXP Semiconductors&s; BFU580GX RF amplifier is your solution. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4-Pin SOT223 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


BFU580GX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 1000 mW

输入电容 1.5 pF

增益频宽积 11 GHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10.5 dB

最小电流放大倍数hFE 60

最大电流放大倍数hFE 130

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 95

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFU580GX
型号: BFU580GX
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE

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