晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE
RF NPN 12V 60mA 11GHz 1W 表面贴装型 SOT-223
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NPN Wideband Silicon RF Transistor
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RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
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射频RF双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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艾睿:
Are you looking for a component that can handle high power radio frequencies? NXP Semiconductors&s; BFU580GX RF amplifier is your solution. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4-Pin SOT223 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
针脚数 4
耗散功率 1000 mW
输入电容 1.5 pF
增益频宽积 11 GHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10.5 dB
最小电流放大倍数hFE 60
最大电流放大倍数hFE 130
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 95
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99