双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR
Summary of Features:
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- High current gain
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- Low collector-emitter saturation voltage
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- Low noise between 30 Hz and 15 kHz
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- Complementary types: BC857...-BC860...PNP
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- Pb-free RoHS compliant package
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- Qualified according AEC Q101 1
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- 1BC847BL3 is not qualified according AEC Q101
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC848BWH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BC848BWE6327BTSA1 英飞凌 | 完全替代 | BC848BWH6327XTSA1和BC848BWE6327BTSA1的区别 |
BC848BW-7-F 美台 | 功能相似 | BC848BWH6327XTSA1和BC848BW-7-F的区别 |